ON Semiconductor NTJS3151PT1G MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

NTJS3151PT1G

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

حصے کا نمبر

NTJS3151PT1G

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

سپلائر ڈیوائس پیکیج

SC-88/SC70-6/SOT-363

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

625mW (Ta)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

12V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

2.7A (Ta)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

60 mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

1.2V @ 100µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

850pF @ 12V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

1.8V, 4.5V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±12V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 43588 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

NTJS3151PT1G

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363