ON Semiconductor NDD60N360U1T4G MOSFET N-CH 600V 114A DPAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

NDD60N360U1T4G

MOSFET N-CH 600V 114A DPAK

حصے کا نمبر

NDD60N360U1T4G

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DPAK

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

114W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

11A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

360 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

26nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

790pF @ 50V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 49898 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

NDD60N360U1-1G

MOSFET N-CH 600V 114A IPAK