ON Semiconductor NDD01N60T4G MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

NDD01N60T4G

MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK

حصے کا نمبر

NDD01N60T4G

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DPAK

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

46W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1.5A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

8.5 Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.7V @ 50µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

7.2nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

160pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 43723 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

NDD01N60-1G

MOSFET N-CH 600V 1.5A IPAK