ON Semiconductor MVB50P03HDLT4G INTEGRATED CIRCUIT

چین
پیشہ ورانہ الیکٹرانک اجزاء فراہم کنندہ

کیٹلاگ مینوفیکچررز CN ICs

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

MVB50P03HDLT4G

INTEGRATED CIRCUIT

حصے کا نمبر

MVB50P03HDLT4G

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

Automotive, AEC-Q101

حصہ کی حیثیت

Last Time Buy

پیکیجنگ

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

D2PAK-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

125W (Tc)

FET قسم

P-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

30V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

50A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

25 mOhm @ 25A, 5V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

100nC @ 5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

4.9nF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±15V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 9694 PCS

رابطے کی معلومات