ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

حصے کا نمبر

HGTD1N120BNS9A

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ان پٹ کی قسم

Standard

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

پاور - زیادہ سے زیادہ

60W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-252AA

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

موجودہ - کلکٹر (آئی سی) (زیادہ سے زیادہ)

5.3A

وولٹیج - کلیکٹر ایمیٹر بریک ڈاؤن (زیادہ سے زیادہ)

1200V

IGBT قسم

NPT

Vce(on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 1A

کرنٹ - کلیکٹر پلسڈ (ICM)

سوئچنگ انرجی

70µJ (on), 90µJ (off)

گیٹ چارج

14nC

Td (آن/آف) @ 25�C

15ns/67ns

ٹیسٹ کی حالت

960V, 1A, 82 Ohm, 15V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 43318 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA