ON Semiconductor HGT1S10N120BNST IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

HGT1S10N120BNST

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

حصے کا نمبر

HGT1S10N120BNST

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ان پٹ کی قسم

Standard

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

پاور - زیادہ سے زیادہ

298W

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-263AB

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

موجودہ - کلکٹر (آئی سی) (زیادہ سے زیادہ)

35A

وولٹیج - کلیکٹر ایمیٹر بریک ڈاؤن (زیادہ سے زیادہ)

1200V

IGBT قسم

NPT

Vce(on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

کرنٹ - کلیکٹر پلسڈ (ICM)

80A

سوئچنگ انرجی

320µJ (on), 800µJ (off)

گیٹ چارج

100nC

Td (آن/آف) @ 25�C

23ns/165ns

ٹیسٹ کی حالت

960V, 10A, 10 Ohm, 15V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 8368 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

HGT1N30N60A4D

IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227