ON Semiconductor FQU7N10LTU MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

FQU7N10LTU

MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK

حصے کا نمبر

FQU7N10LTU

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

QFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

I-PAK

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

5.8A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

350 mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

6nC @ 5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

290pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 51432 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

FQU7N10LTU

MOSFET N-CH 100V 5.8A IPAK