ON Semiconductor FQI2NA90TU MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

FQI2NA90TU

MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK

حصے کا نمبر

FQI2NA90TU

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

QFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

I2PAK (TO-262)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3.13W (Ta), 107W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

900V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

2.8A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

5.8 Ohm @ 1.4A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

20nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

680pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 5680 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

FQI27N25TU

MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK