ON Semiconductor FQI12N50TU MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

FQI12N50TU

MOSFET N-CH 500V 12.1A I2PAK

حصے کا نمبر

FQI12N50TU

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

QFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

I2PAK (TO-262)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3.13W (Ta), 179W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

500V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

12.1A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

490 mOhm @ 6.05A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

51nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

2020pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 35290 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

FQI10N20CTU

MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK