ON Semiconductor FQB630TM MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

FQB630TM

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

حصے کا نمبر

FQB630TM

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

QFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

D²PAK (TO-263AB)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

3.13W (Ta), 78W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

200V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

9A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

400 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

25nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

550pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±25V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 9600 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

FQB630TM

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK