ON Semiconductor FQA11N90 MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

FQA11N90

MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P

حصے کا نمبر

FQA11N90

مینوفیکچرر/برانڈ

ON Semiconductor

سلسلہ

QFET®

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-3P-3, SC-65-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-3P

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

300W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

900V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

11.4A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

960 mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

94nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

3500pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 48030 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

FQA10N60C

MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P