Microsemi Corporation 1N6622US DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

1N6622US

DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF

حصے کا نمبر

1N6622US

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

SQ-MELF, A

سپلائر ڈیوائس پیکیج

A-MELF

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

1.2A

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1.4V @ 1.2A

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

500nA @ 660V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

660V

رفتار

Fast Recovery = 200mA (Io)

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

30ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-65°C ~ 150°C

Capacitance @ Vr، F

10pF @ 10V, 1MHz

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 27823 PCS

رابطے کی معلومات