Microsemi Corporation 1N4446 DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

1N4446

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

حصے کا نمبر

1N4446

مینوفیکچرر/برانڈ

Microsemi Corporation

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Bulk

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

DO-204AH, DO-35, Axial

سپلائر ڈیوائس پیکیج

DO-35

ڈایڈڈ کی قسم

Standard

موجودہ - اوسط اصلاح شدہ (Io)

200mA

وولٹیج - فارورڈ (Vf) (زیادہ سے زیادہ) @ اگر

1V @ 20mA

کرنٹ - ریورس لیکیج @ Vr

25nA @ 20V

وولٹیج - DC ریورس (Vr) (زیادہ سے زیادہ)

75V

رفتار

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

4ns

آپریٹنگ درجہ حرارت - جنکشن

-65°C ~ 150°C

Capacitance @ Vr، F

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 37253 PCS

رابطے کی معلومات