IXYS VWM200-01P MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

چین
پیشہ ورانہ الیکٹرانک اجزاء فراہم کنندہ

کیٹلاگ مینوفیکچررز CN ICs

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

VWM200-01P

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

حصے کا نمبر

VWM200-01P

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Bulk

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

V2-PAK

پاور - زیادہ سے زیادہ

سپلائر ڈیوائس پیکیج

V2-PAK

FET قسم

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET کی خصوصیت

Standard

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

210A

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

5.2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4V @ 2mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

430nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 38270 PCS

رابطے کی معلومات