IXYS MMIX1F180N25T MOSFET N-CH 250V 130A SMPD

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

MMIX1F180N25T

MOSFET N-CH 250V 130A SMPD

حصے کا نمبر

MMIX1F180N25T

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

24-PowerSMD, 21 Leads

سپلائر ڈیوائس پیکیج

24-SMPD

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

570W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

250V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

132A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

13 mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 8mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

364nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

23800pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 40198 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

MMIX1F132N50P3

MOSFET N-CH 500V 63A SMPD