IXYS IXTX110N20L2 MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXTX110N20L2

MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247

حصے کا نمبر

IXTX110N20L2

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

Linear L2™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-247-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PLUS247™-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

960W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

200V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

110A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

24 mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.5V @ 3mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

500nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

23000pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 35414 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXTX102N65X2

MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247