IXTH3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247
حصے کا نمبر
IXTH3N120
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
-
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-247-3
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-247 (IXTH)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
200W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1200V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
3A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4.5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
39nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
1300pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 28586 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXTH3N120
IXTH3N120 الیکٹرانک اجزاء
IXTH3N120 سیلز
IXTH3N120 فراہم کنندہ
IXTH3N120 فراہم کنندہ
IXTH3N120 ڈیٹا ٹیبل
IXTH3N120 تصاویر
IXTH3N120 قیمت
IXTH3N120 پیشکش
IXTH3N120 کم ترین قیمت
IXTH3N120 تلاش کریں۔
IXTH3N120 خریداری
IXTH3N120 Chip