IXYS IXTH102N20T MOSFET N-CH 200V 102A TO-247

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXTH102N20T

MOSFET N-CH 200V 102A TO-247

حصے کا نمبر

IXTH102N20T

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

TrenchHV™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-247-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-247 (IXTH)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

750W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

200V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

102A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

23 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.5V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

114nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

6800pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 16886 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXTH02N250

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247