IXTA80N10T
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
حصے کا نمبر
IXTA80N10T
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
TrenchMV™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-263 (IXTA)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
230W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
100V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
14 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 100µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
60nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
3040pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 40414 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXTA80N10T
IXTA80N10T الیکٹرانک اجزاء
IXTA80N10T سیلز
IXTA80N10T فراہم کنندہ
IXTA80N10T فراہم کنندہ
IXTA80N10T ڈیٹا ٹیبل
IXTA80N10T تصاویر
IXTA80N10T قیمت
IXTA80N10T پیشکش
IXTA80N10T کم ترین قیمت
IXTA80N10T تلاش کریں۔
IXTA80N10T خریداری
IXTA80N10T Chip