IXYS IXTA05N100 MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXTA05N100

MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263

حصے کا نمبر

IXTA05N100

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-263 (IXTA)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

40W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1000V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

750mA (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

17 Ohm @ 375mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.5V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

7.8nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

260pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 15998 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXTA02N250

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263