IXTA75N10P
MOSFET N-CH 100V 75A TO-263
حصے کا نمبر
IXTA75N10P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
PolarHT™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-263 (IXTA)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
360W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
100V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
75A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
25 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5.5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
74nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
2250pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 43720 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXTA75N10P
IXTA75N10P الیکٹرانک اجزاء
IXTA75N10P سیلز
IXTA75N10P فراہم کنندہ
IXTA75N10P فراہم کنندہ
IXTA75N10P ڈیٹا ٹیبل
IXTA75N10P تصاویر
IXTA75N10P قیمت
IXTA75N10P پیشکش
IXTA75N10P کم ترین قیمت
IXTA75N10P تلاش کریں۔
IXTA75N10P خریداری
IXTA75N10P Chip