IXTA3N100P
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
حصے کا نمبر
IXTA3N100P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
PolarVHV™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-263 (IXTA)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
125W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1000V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
3A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4.5V @ 250µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
39nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
1100pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 42703 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXTA3N100P
IXTA3N100P الیکٹرانک اجزاء
IXTA3N100P سیلز
IXTA3N100P فراہم کنندہ
IXTA3N100P فراہم کنندہ
IXTA3N100P ڈیٹا ٹیبل
IXTA3N100P تصاویر
IXTA3N100P قیمت
IXTA3N100P پیشکش
IXTA3N100P کم ترین قیمت
IXTA3N100P تلاش کریں۔
IXTA3N100P خریداری
IXTA3N100P Chip