IXYS IXFV110N10P MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXFV110N10P

MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220

حصے کا نمبر

IXFV110N10P

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

PolarHT™ HiPerFET™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Bulk

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-3, Short Tab

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PLUS220

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

480W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

100V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

110A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

15 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 4mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

110nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

3550pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 12022 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXFV110N10P

MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220