IXFT80N10Q
MOSFET N-CH 100V 80A TO-268
حصے کا نمبر
IXFT80N10Q
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™
حصہ کی حیثیت
Last Time Buy
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-268
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
360W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
100V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
80A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
15 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
180nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4500pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 19952 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFT80N10Q
IXFT80N10Q الیکٹرانک اجزاء
IXFT80N10Q سیلز
IXFT80N10Q فراہم کنندہ
IXFT80N10Q فراہم کنندہ
IXFT80N10Q ڈیٹا ٹیبل
IXFT80N10Q تصاویر
IXFT80N10Q قیمت
IXFT80N10Q پیشکش
IXFT80N10Q کم ترین قیمت
IXFT80N10Q تلاش کریں۔
IXFT80N10Q خریداری
IXFT80N10Q Chip