IXFT10N100
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
حصے کا نمبر
IXFT10N100
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-268
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
300W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1000V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
10A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
1.2 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4.5V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
155nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4000pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 11383 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFT10N100
IXFT10N100 الیکٹرانک اجزاء
IXFT10N100 سیلز
IXFT10N100 فراہم کنندہ
IXFT10N100 فراہم کنندہ
IXFT10N100 ڈیٹا ٹیبل
IXFT10N100 تصاویر
IXFT10N100 قیمت
IXFT10N100 پیشکش
IXFT10N100 کم ترین قیمت
IXFT10N100 تلاش کریں۔
IXFT10N100 خریداری
IXFT10N100 Chip