IXFT7N90Q
MOSFET N-CH 900V 7A TO-268
حصے کا نمبر
IXFT7N90Q
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-268
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
180W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
900V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
7A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 2.5mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
56nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
2200pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 31785 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFT7N90Q
IXFT7N90Q الیکٹرانک اجزاء
IXFT7N90Q سیلز
IXFT7N90Q فراہم کنندہ
IXFT7N90Q فراہم کنندہ
IXFT7N90Q ڈیٹا ٹیبل
IXFT7N90Q تصاویر
IXFT7N90Q قیمت
IXFT7N90Q پیشکش
IXFT7N90Q کم ترین قیمت
IXFT7N90Q تلاش کریں۔
IXFT7N90Q خریداری
IXFT7N90Q Chip