IXFT69N30P
MOSFET N-CH 300V 69A TO-268
حصے کا نمبر
IXFT69N30P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
PolarHT™ HiPerFET™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-268
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
500W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
300V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
69A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
49 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
180nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4960pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 50910 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFT69N30P
IXFT69N30P الیکٹرانک اجزاء
IXFT69N30P سیلز
IXFT69N30P فراہم کنندہ
IXFT69N30P فراہم کنندہ
IXFT69N30P ڈیٹا ٹیبل
IXFT69N30P تصاویر
IXFT69N30P قیمت
IXFT69N30P پیشکش
IXFT69N30P کم ترین قیمت
IXFT69N30P تلاش کریں۔
IXFT69N30P خریداری
IXFT69N30P Chip