IXFT50N60X
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
حصے کا نمبر
IXFT50N60X
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-268
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
660W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
600V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
50A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
73 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4.5V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
116nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4660pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 50553 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFT50N60X
IXFT50N60X الیکٹرانک اجزاء
IXFT50N60X سیلز
IXFT50N60X فراہم کنندہ
IXFT50N60X فراہم کنندہ
IXFT50N60X ڈیٹا ٹیبل
IXFT50N60X تصاویر
IXFT50N60X قیمت
IXFT50N60X پیشکش
IXFT50N60X کم ترین قیمت
IXFT50N60X تلاش کریں۔
IXFT50N60X خریداری
IXFT50N60X Chip