IXYS IXFT50N60P3 MOSFET N-CH 600V 50A TO268

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXFT50N60P3

MOSFET N-CH 600V 50A TO268

حصے کا نمبر

IXFT50N60P3

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

HiPerFET™, Polar3™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-268

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

1040W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

50A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

145 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5V @ 4mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

94nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

6300pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 12969 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXFT100N30X3HV

300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS