IXFT30N60Q
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268(D3)
حصے کا نمبر
IXFT30N60Q
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Bulk
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-268
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
500W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
600V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
230 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4.5V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
125nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4700pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 31360 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFT30N60Q
IXFT30N60Q الیکٹرانک اجزاء
IXFT30N60Q سیلز
IXFT30N60Q فراہم کنندہ
IXFT30N60Q فراہم کنندہ
IXFT30N60Q ڈیٹا ٹیبل
IXFT30N60Q تصاویر
IXFT30N60Q قیمت
IXFT30N60Q پیشکش
IXFT30N60Q کم ترین قیمت
IXFT30N60Q تلاش کریں۔
IXFT30N60Q خریداری
IXFT30N60Q Chip