IXFT30N50P
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
حصے کا نمبر
IXFT30N50P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™, PolarHT™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-268
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
460W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
500V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
200 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
70nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4150pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 19632 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFT30N50P
IXFT30N50P الیکٹرانک اجزاء
IXFT30N50P سیلز
IXFT30N50P فراہم کنندہ
IXFT30N50P فراہم کنندہ
IXFT30N50P ڈیٹا ٹیبل
IXFT30N50P تصاویر
IXFT30N50P قیمت
IXFT30N50P پیشکش
IXFT30N50P کم ترین قیمت
IXFT30N50P تلاش کریں۔
IXFT30N50P خریداری
IXFT30N50P Chip