IXFT24N90P
MOSFET N-CH TO-268
حصے کا نمبر
IXFT24N90P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™, PolarP2™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-268
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
660W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
900V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
24A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
420 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
6.5V @ 1mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
130nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
7200pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 34409 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFT24N90P
IXFT24N90P الیکٹرانک اجزاء
IXFT24N90P سیلز
IXFT24N90P فراہم کنندہ
IXFT24N90P فراہم کنندہ
IXFT24N90P ڈیٹا ٹیبل
IXFT24N90P تصاویر
IXFT24N90P قیمت
IXFT24N90P پیشکش
IXFT24N90P کم ترین قیمت
IXFT24N90P تلاش کریں۔
IXFT24N90P خریداری
IXFT24N90P Chip