IXFT23N60Q
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
حصے کا نمبر
IXFT23N60Q
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Bulk
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-268
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
400W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
600V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
23A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
320 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4.5V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
90nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
3300pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 34757 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFT23N60Q
IXFT23N60Q الیکٹرانک اجزاء
IXFT23N60Q سیلز
IXFT23N60Q فراہم کنندہ
IXFT23N60Q فراہم کنندہ
IXFT23N60Q ڈیٹا ٹیبل
IXFT23N60Q تصاویر
IXFT23N60Q قیمت
IXFT23N60Q پیشکش
IXFT23N60Q کم ترین قیمت
IXFT23N60Q تلاش کریں۔
IXFT23N60Q خریداری
IXFT23N60Q Chip