IXFT20N80P
MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
حصے کا نمبر
IXFT20N80P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™, PolarHT™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-268
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
500W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
800V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
20A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
520 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
86nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4685pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 15836 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFT20N80P
IXFT20N80P الیکٹرانک اجزاء
IXFT20N80P سیلز
IXFT20N80P فراہم کنندہ
IXFT20N80P فراہم کنندہ
IXFT20N80P ڈیٹا ٹیبل
IXFT20N80P تصاویر
IXFT20N80P قیمت
IXFT20N80P پیشکش
IXFT20N80P کم ترین قیمت
IXFT20N80P تلاش کریں۔
IXFT20N80P خریداری
IXFT20N80P Chip