IXFT18N90P
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
حصے کا نمبر
IXFT18N90P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™, PolarP2™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-268
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
540W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
900V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
18A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
600 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
6.5V @ 1mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
97nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
5230pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 45907 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFT18N90P
IXFT18N90P الیکٹرانک اجزاء
IXFT18N90P سیلز
IXFT18N90P فراہم کنندہ
IXFT18N90P فراہم کنندہ
IXFT18N90P ڈیٹا ٹیبل
IXFT18N90P تصاویر
IXFT18N90P قیمت
IXFT18N90P پیشکش
IXFT18N90P کم ترین قیمت
IXFT18N90P تلاش کریں۔
IXFT18N90P خریداری
IXFT18N90P Chip