IXFQ50N60X
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
حصے کا نمبر
IXFQ50N60X
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Through Hole
پیکیج / کیس
TO-3P-3, SC-65-3
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-3P
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
660W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
600V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
50A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
73 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4.5V @ 4mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
116nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
4660pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 9784 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFQ50N60X
IXFQ50N60X الیکٹرانک اجزاء
IXFQ50N60X سیلز
IXFQ50N60X فراہم کنندہ
IXFQ50N60X فراہم کنندہ
IXFQ50N60X ڈیٹا ٹیبل
IXFQ50N60X تصاویر
IXFQ50N60X قیمت
IXFQ50N60X پیشکش
IXFQ50N60X کم ترین قیمت
IXFQ50N60X تلاش کریں۔
IXFQ50N60X خریداری
IXFQ50N60X Chip