IXYS IXFQ14N80P MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXFQ14N80P

MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P

حصے کا نمبر

IXFQ14N80P

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

HiPerFET™, PolarHT™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-3P-3, SC-65-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-3P

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

400W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

800V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

14A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

720 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5.5V @ 4mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

61nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

3900pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 20629 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXFQ10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P