IXYS IXFJ20N85X MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXFJ20N85X

MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

حصے کا نمبر

IXFJ20N85X

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

HiPerFET™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-247-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

ISO TO-247-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

110W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

850V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

9.5A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

360 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5.5V @ 2.5mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

63nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1660pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 42225 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXFJ15N100Q

MOSFET N-CH TO-220