IXFA6N120P
MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
حصے کا نمبر
IXFA6N120P
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
HiPerFET™, PolarP2™
حصہ کی حیثیت
Active
پیکیجنگ
Tube
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
سپلائر ڈیوائس پیکیج
TO-263 (IXFA)
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
250W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
1200V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
6A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
2.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
5V @ 1mA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
92nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
2830pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±30V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 35617 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ IXFA6N120P
IXFA6N120P الیکٹرانک اجزاء
IXFA6N120P سیلز
IXFA6N120P فراہم کنندہ
IXFA6N120P فراہم کنندہ
IXFA6N120P ڈیٹا ٹیبل
IXFA6N120P تصاویر
IXFA6N120P قیمت
IXFA6N120P پیشکش
IXFA6N120P کم ترین قیمت
IXFA6N120P تلاش کریں۔
IXFA6N120P خریداری
IXFA6N120P Chip