IXYS IXFA12N50P MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXFA12N50P

MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK

حصے کا نمبر

IXFA12N50P

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

HiPerFET™, PolarP2™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-263 (IXFA)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

200W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

500V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

12A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

500 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5.5V @ 1mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

29nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1830pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±30V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 34561 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXFA102N15T

MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK