IXYS IXFA4N100Q-TRL MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IXFA4N100Q-TRL

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263

حصے کا نمبر

IXFA4N100Q-TRL

مینوفیکچرر/برانڈ

IXYS

سلسلہ

HiPerFET™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-263 (IXFA)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

150W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

1000V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

4A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

3 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

4.5V @ 1.5mA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

39nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

1050pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 39080 PCS

رابطے کی معلومات

متعلقہ مصنوعات

IXFA102N15T

MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK