Infineon Technologies SPP02N60S5HKSA1 MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

SPP02N60S5HKSA1

MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220

حصے کا نمبر

SPP02N60S5HKSA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™

حصہ کی حیثیت

Obsolete

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO220-3-1

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

25W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

600V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1.8A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

3 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

5.5V @ 80µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

9.5nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

240pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 8304 PCS

رابطے کی معلومات