SPB35N10 G
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
حصے کا نمبر
SPB35N10 G
مینوفیکچرر/برانڈ
سلسلہ
SIPMOS®
حصہ کی حیثیت
Obsolete
پیکیجنگ
Tape & Reel (TR)
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 175°C (TJ)
چڑھنے کی قسم
Surface Mount
پیکیج / کیس
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
سپلائر ڈیوائس پیکیج
PG-TO263-3-2
بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)
150W (Tc)
FET قسم
N-Channel
FET کی خصوصیت
-
ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)
100V
کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs
44 mOhm @ 26.4A, 10V
Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID
4V @ 83µA
گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs
65nC @ 10V
ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds
1570pF @ 25V
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)
10V
Vgs (زیادہ سے زیادہ)
±20V
اقتباس کی درخواست کریں۔
براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔
اسٹاک میں 37799 PCS
رابطے کی معلومات
متعلقہ مصنوعات
کے مطلوبہ الفاظ SPB35N10 G
SPB35N10 G الیکٹرانک اجزاء
SPB35N10 G سیلز
SPB35N10 G فراہم کنندہ
SPB35N10 G فراہم کنندہ
SPB35N10 G ڈیٹا ٹیبل
SPB35N10 G تصاویر
SPB35N10 G قیمت
SPB35N10 G پیشکش
SPB35N10 G کم ترین قیمت
SPB35N10 G تلاش کریں۔
SPB35N10 G خریداری
SPB35N10 G Chip