Infineon Technologies IRL80HS120 MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRL80HS120

MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN

حصے کا نمبر

IRL80HS120

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

6-VDFN Exposed Pad

سپلائر ڈیوائس پیکیج

6-PQFN (2x2)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

11.5W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

80V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

12.5A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

32 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2V @ 10µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

7nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

540pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 44347 PCS

رابطے کی معلومات