Infineon Technologies IRL40B215 MOSFET N-CH 40V 120A

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRL40B215

MOSFET N-CH 40V 120A

حصے کا نمبر

IRL40B215

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®, StrongIRFET™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-220-3

سپلائر ڈیوائس پیکیج

TO-220AB

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

143W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

40V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

120A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2.7 mOhm @ 98A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

2.4V @ 100µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

84nC @ 4.5V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

5225pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

4.5V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 44100 PCS

رابطے کی معلومات