Infineon Technologies IRG7CH30K10EF IGBT CHIP WAFER

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRG7CH30K10EF

IGBT CHIP WAFER

حصے کا نمبر

IRG7CH30K10EF

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

ان پٹ کی قسم

Standard

آپریٹنگ درجہ حرارت

-40°C ~ 175°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

Die

پاور - زیادہ سے زیادہ

سپلائر ڈیوائس پیکیج

Die

ریورس ریکوری ٹائم (trr)

موجودہ - کلکٹر (آئی سی) (زیادہ سے زیادہ)

10A

وولٹیج - کلیکٹر ایمیٹر بریک ڈاؤن (زیادہ سے زیادہ)

1200V

IGBT قسم

Trench

Vce(on) (زیادہ سے زیادہ) @ Vge, Ic

2.56V @ 15V, 10A

کرنٹ - کلیکٹر پلسڈ (ICM)

سوئچنگ انرجی

گیٹ چارج

4.8nC

Td (آن/آف) @ 25�C

10ns/90ns

ٹیسٹ کی حالت

600V, 10A, 22 Ohm, 15V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 5496 PCS

رابطے کی معلومات