Infineon Technologies IRF40H210 MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IRF40H210

MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6

حصے کا نمبر

IRF40H210

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

HEXFET®, StrongIRFET™

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tape & Reel (TR)

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Surface Mount

پیکیج / کیس

8-PowerVDFN

سپلائر ڈیوائس پیکیج

8-PQFN (5x6)

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

125W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

40V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

100A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.7V @ 150µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

152nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

5406pF @ 25V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

6V, 10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 47986 PCS

رابطے کی معلومات