Infineon Technologies IPU80R2K8CEBKMA1 MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPU80R2K8CEBKMA1

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3

حصے کا نمبر

IPU80R2K8CEBKMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™

حصہ کی حیثیت

Discontinued at Digi-Key

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO251-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

42W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

800V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

1.9A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

2.8 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.9V @ 120µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

12nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

290pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 51844 PCS

رابطے کی معلومات