Infineon Technologies IPU80R1K0CEBKMA1 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPU80R1K0CEBKMA1

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3

حصے کا نمبر

IPU80R1K0CEBKMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™

حصہ کی حیثیت

Discontinued at Digi-Key

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO251-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

83W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

800V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

5.7A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

950 mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.9V @ 250µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

31nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

785pF @ 100V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 29737 PCS

رابطے کی معلومات