Infineon Technologies IPS80R900P7AKMA1 MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3

تصویر کی نمائندگی ہو سکتی ہے۔
پروڈکٹ کی تفصیلات کے لیے وضاحتیں دیکھیں۔

مزید معلومات دیکھیں ڈیٹا شیٹ

IPS80R900P7AKMA1

MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3

حصے کا نمبر

IPS80R900P7AKMA1

مینوفیکچرر/برانڈ

Infineon Technologies

سلسلہ

CoolMOS™ P7

حصہ کی حیثیت

Active

پیکیجنگ

Tube

ٹیکنالوجی

MOSFET (Metal Oxide)

آپریٹنگ درجہ حرارت

-55°C ~ 150°C (TJ)

چڑھنے کی قسم

Through Hole

پیکیج / کیس

TO-251-3 Stub Leads, IPak

سپلائر ڈیوائس پیکیج

PG-TO251-3

بجلی کی کھپت (زیادہ سے زیادہ)

45W (Tc)

FET قسم

N-Channel

FET کی خصوصیت

ڈرین ٹو سورس وولٹیج (Vdss)

800V

کرنٹ - مسلسل ڈرین (Id) @ 25�C

6A (Tc)

Rds On (زیادہ سے زیادہ) @ ID، Vgs

900 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th) (زیادہ سے زیادہ) @ ID

3.5V @ 110µA

گیٹ چارج (Qg) (زیادہ سے زیادہ) @ Vgs

15nC @ 10V

ان پٹ کیپیسیٹینس (Ciss) (زیادہ سے زیادہ) @ Vds

350pF @ 500V

ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ Rds آن، کم از کم Rds آن)

10V

Vgs (زیادہ سے زیادہ)

±20V

اقتباس کی درخواست کریں۔

براہ کرم تمام مطلوبہ فیلڈز کو مکمل کریں اور جمع کروائیں پر کلک کریں، ہم آپ سے 12 گھنٹے میں ای میل کے ذریعے رابطہ کریں گے۔ اگر آپ کو کوئی مسئلہ درپیش ہے، تو براہ کرم پر پیغامات یا ای میل بھیجیں۔ [email protected]، ہم جلد از جلد جواب دیں گے۔

اسٹاک میں 16550 PCS

رابطے کی معلومات